Авторизация

Мы предлагаем:

Просмотренные

Последние товары


Статьи

Начало раздела

История создания флэш памяти

Первой энергонезависимой памятью была ROM (ПЗУ) - Read Only Memory. Из названия становится понятно, что данный тип имеет единственный цикл  записи. Он осуществляется сразу при производстве, путем нанесения  алюминиевых дорожек между ячейками ROM литографическим способом. Наличие  такой дорожки означает 1, отсутствие 0. К сожалению, этот вид памяти не  приобрел большой популярности, так как процесс изготовления микросхемы ROM  занимает длительное время (от 4 до 8 недель).

Но, как это ни  парадоксально, стоимость памяти довольно низкая (естественно, при больших объемах производства), а информацию с нее можно стереть только молотком  или паяльной лампой. Естественно, что ROM дело не ограничилось. Возникла  острая необходимость в перезаписи памяти, а каждый раз выпускать ПЗУ с новыми данными было дорого и нерационально. Поэтому ROM сменила PROM (Programmable  ROM). Микросхему с такой памятью можно было подвергнуть повторному (правда, единственному) прожигу с помощью специального устройства –  программатора. Дело в том, что PROM производилась немного по другой технологии. Дорожки между ячейками были заменены плавкими перемычками, которые могли быть разрушены путем подачи высокого напряжения на  микросхему. Таким образом, появляется единственный цикл перезаписи.

История создания флэш памяти


Рождение EPROM. Как было сказано выше, ROM и PROM относятся к виду неперезаписываемой  энергонезависимой памяти. В 1971 году Intel выпускает совершенно новую микросхему памяти под аббревиатурой EPROM (Erasable Programmable ROM).  Такую микросхему можно было подвергать неоднократной перезаписи путем облучения чипа рентгеновскими или ультрафиолетовыми лучами. Память, стираемая ультрафиолетом, появляется немного позднее и носит аббревиатуру UV-EPROM. В такой микросхеме имеется небольшое окошко с кварцевым стеклом. За ним находится кристалл, который облучается ультрафиолетом. После стирания информации это окошко заклеивают.

Частичная перезапись данных по-прежнему остается невозможной, так как рентгеновские и ультрафиолетовые  лучи изменяют все биты стираемой области в положение 1. Повторная запись данных осуществляется также на программаторах (как в ROM и EROM). Вообще,  EPROM была основана на МОП (металл-оксид-полупроводник) транзисторах. Запись данных в ячейки такого транзистора производилась методом лавинной инжекции заряда (о методах записи будет сказано ниже). Этот метод давал  возможность неоднократно перезаписывать данные памяти (хотя количество циклов было ограниченным). Таким образом, вместе с EPROM рождается поколение NVRWM, что расшифровывается как NonVolatile Read-Write Memory. Но, несмотря на абсолютно новую технологию, этот вид был вытеснен с рынка  другими видами памяти.




через восемь лет, в 1979 году после выхода  EPROM, фирма Intel разрабатывает новый вид памяти, которая могла быть перезаписана частями. С помощью электрического тока становилось  возможным изменение данных в определенной ячейке микросхемы. Это нововведение уменьшало время программирования, а также позволяло отказаться от внешних устройств-программаторов. Для записи данных  память достаточно было подключить к системной шине микропроцессора, что значительно упрощало работу с микросхемой. За удовольствие надо платить... Поэтому стоимость EEPROM была высокой. Это неудивительно,  так как технологии производства такой памяти были очень сложными.
 
В отличие от предыдущего EPROM, увеличивалось количество циклов перезаписи информации. Наконец в 1984 году компания Toshiba разрабатывает принципиально новый вид памяти под названием Flash. Через четыре года Intel выпускает свой вариант Flash-памяти (поэтому иногда ее создание незаслуженно приписывают этой компании). Но обо всем по порядку. Flash-память была создана в 1984 году. Сразу после этого начался интенсивный процесс развития этого вида, а на ее предшественницу торжественно забили (хотя EEPROM еще долгое время рулил на рынке). Устройство Flash имеет довольно сложную структуру. Дело в том, что процессы перепрожига микросхемы базируются на законах квантовой механики. В самом простом случае ячейка Flash состоит из одного полевого транзистора.
 
Элемент включает в себя специальную электрически изолированную область, называемую “плавающим затвором”. Этот термин возник из-за того, что потенциал этой области не является стабильным, что позволяет накапливать в ней электроны (именно здесь и хранится вся информация памяти). Выше “плавающего” находится управляющий затвор, который является неотъемлемой частью при процессе записи/стирания данных памяти. Эта область напрямую соединена с линией слов. Перпендикулярно этой линии располагается линия битов, которая соединена со стоком (при записи данных из этой области транзистора появляется поток электронов). Сток разделяется с истоком специальной подложкой, которая не проводит электрический ток. Запись данных во Flash происходит методом инжекции "горячих"  электронов, а стирание – методом туннелирования Фаулера-Нордхейма (Jox=A*E^2*exp(-Eo/E),  где Jox – туннельный ток инжекции, А – константы, E – напряженность электрического поля).

Дата: Четверг, 17 Июнь 2010
Прочитана: 2177 раз

Распечатать Распечатать    Переслать Переслать    В избранное В избранное

Другие публикации
  • Виды батареек и аккумуляторов
  • Краткая информация о батарейках, использующихся в слуховых аппаратах.
  • Что нужно знать для того, чтобы ваш радиоприемник или плеер работал, работал и работал???
  • История батарейки
  • Главное - правильно питаться.
  • Особенности литиевых батареек
  • Как собрать батарейку в домашних условиях
  • Батарейки "Энерджайзер"
  • Выбор питания для GPS
  • Виды аккумуляторов - их достоинства и недостатки
    Вернуться назад


    29.11 | 10 событий в мире технологий, которые пропустил Ходорковский
    29.11 | Утилизация батареек в мире
    30.12 | Шесть изобретений, которые навсегда изменили Новый Год
    30.12 | США ЗАПРЕТИЛИ ГЛОНАСС
    12.11 | Новая био-батарея Sony использует в качестве топлива бумагу
    12.06 | Заряжать мобильные телефоны теперь можно с помощью… сапог
    01.01 | Sony прекращает выпуск флоппи-дисков
    20.05 | Видео на дисках: борьба за выживание
    17.05 | "Сони" представила батарейку, работающую на фруктовом соке
    03.03 | Биологическая батарейка Sony удвоенной мощности

  •  

     
     
    ТОО «AP LTD», Республика Казахстан, г. Алматы ул. Торайгырова 19а (бывш. ул. Фрунзе), Жилой комплекс "Толе би Тау", ком. 340 (первый этаж)
    Тел: +7 (727) 224 08 46, 224 09 78, 385 35 49, e-mail: apltd1@mail.ru

    eXTReMe Tracker
    Создано в студии Вектор
    Контакты